2011-237-英国-113 关于增加磁阻式随机存取存储器存储密度技术 -- 收藏
http://www.vitwo.cn 2011/11/30 9:42:59
磁阻式随机存取内存（Magnetoresistive Random Access Memory，缩写为MRAM），是一种非挥发性内存技术，从1990年代开始发展。这个技术的拥护者认为，这个技术可望取代快闪存储器与DRAM，成为真正的通用型内存（Universal memory）。但由于成本和存储密度的限制，一直是这种存储介质发展的局限。
目前，由杜伦大学工程人员采用数学模型，研究设计了一种可增加存储密度，同时又能减低成本的新型储存单元结构，这项技术已经取得专利。
技术成熟度：大规模生产
外方提议合作方式：技术转让
联系方式:
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