剑桥大学发明一种高密度碳纳米管阵列原为生长技术。该技术能够直接利用衬底为核，通过形成高密度催化纳米颗粒来生长碳纳米管。这种碳纳米管阵列的密度可以达到已有技术的5倍(现有技术密度为1012 个/每平方厘米)，并有望实现1013个/每平方厘米或更高密度的碳纳米管阵列。

       寻求企业合作开发和技术许可。