英国女王贝尔法斯特大学(QUB)研制的这项新设备目前在位于谢菲尔德的EPSRC国家III-V实验室制造。基本器件是将一个很薄的Pd条（长度〜160μm，宽度〜4μm且厚度<10nm）沉积在一个n-InP衬底上。该设备可以被定制用于〜10秒时间尺度、氢水平〜1％的检测。该器件在标准的半导体加工设备采用标准的半导体制造技术制造，因此低成本是其突出特点。即使在非常温和的光刻分辨率下（例如线宽度为4μm），也可生成非常有效的设备。

       该实验室成果期望以合作研究或技术许可的方式合作。