截至目前，采用大面积的化学汽相淀积方法制造的石墨烯薄膜会产生很多小薄片，而这些小薄片会随机定向到铜的表面，在石墨烯片上形成晶界台阶。这就晶界台阶减少了石墨烯片的机械强度，并降低了其电气性质。

       通过控制铜基板的定向结晶并排列小薄片，牛津大学的廉价铜箔技术克服了上述缺陷。改变成长过程中的压力可对对单层石墨烯或双层石墨烯域的成长方式作出选择。该技术也成为一般纳米材料生产过程创新的重要工具。

       该技术属英国专利申请对象，技术成熟度（TRL）为2。ISIS寻求商业化合作伙伴。

       该技术为实验室成果，在国内外有很大市场，外方期望以合作生产等方式开展合作。