碳化硅单晶体生产及其控制技术是未来半导体技术的制高点之一。大片完整的碳化硅单晶体，可作为发光二极管(如晶体灯、数字管灯)的基片；高纯碳化硅晶体是制作耐辐射高温半导体的优质材料。目前，国内外半导体材料研究单位大多采取PVT（physical vapor transport）法进行碳化硅单晶体生产技术研究。但该方法存在生产条件要求高（需要高温高压），且成品质量难以控制（拉单晶过程易产生超微孔洞）等问题。据日本一企业负责人介绍，目前他们正在进行碳化硅单晶体的新式生产技术—CPD法（Chemical Particle Deposition）研究。该方法采用与PVT法完全不同的生产原理，可在常温低压的条件下生产，成本低、效率高、排放少，无有毒气体产生。该技术主要研制者山田益山先生多年来从事半导体技术研究，曾获多项专利，本人希望与国内有关单位共同进行CPD法的合作研究。